我市在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破
发表日期：2025.08.13
深圳特区报讯（记者 何泳）记者昨日从市国资委了解到，由市属国企深重投集团与市科技创新局联合打造的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（以下简称“国创中心”）在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展。
近年来，因氮化镓/碳化硅混合晶体管能有效结合氮化镓的高迁移率/开关速度与碳化硅的高导热/抗雪崩能力，实现无动态电阻退化和优异的热稳定性，成为业界研究热点。该国创中心在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延，能显著降低氮化镓外延材料的缺陷密度，大幅提升散热性能，各项指标均达到国际领先水平，有望从根本上解决其可靠性问题。
这一成果打破了大尺寸氮化镓与碳化硅材料单片集成的技术瓶颈，可批量应用于大尺寸、高质量氮化镓外延材料制备，为现有硅基氮化镓技术路线提供了一种极具竞争力的替代方案，为氮化镓/碳化硅混合晶体管的发展和产业化进程奠定基础。
据悉，该国创中心将持续深耕宽禁带半导体核心关键前沿技术研究与应用，突破产业链共性难题和关键技术，为宽禁带半导体在新能源汽车、消费电子人工智能等领域的规模化应用提供重要技术支撑。
名词解释
氮化镓/碳化硅
氮化镓/碳化硅是第三代半导体材料，又称宽禁带化合物半导体。相比于第一代及第二代半导体材料，它们在高温、高耐压以及承受大电流等多个方面具备明显优势，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，对促进节能减排、产业转型升级，催生新的经济增长点将发挥重要作用。
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