突破！国创中心SiC JFET技术研发获新进展

近日，国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（以下简称“国创中心”）在碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术研发方面取得重要进展，成功研发出750V平面型SiC JFET器件，技术指标达到国际先进水平。

SiC JFET器件元胞截面图

国创中心基于自身先进8英寸碳化硅中试平台开发出的SiC JFET，同时兼容SiC功率JFET与JFET集成电路（IC）技术工艺，可以满足不同电阻规格的JFET与JFET IC技术开发需求，相关技术参数优于国际同类平面型SiC JFET产品。

器件168H可靠性测试结果

据悉，SiC JFET作为性能优异的新型功率半导体器件，具有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，是固态断路器、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器等高效能系统的理想选择。该项工作攻克了平面型SiC JFET器件阈值均一性与可靠性的技术难题，在新能源汽车、数据中心、智能电网等关键领域具有广阔应用前景，将为我国在高端功率半导体领域实现自主可控提供有力支撑。