媒体报道
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132025.08我市在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破近年来，因氮化镓/碳化硅混合晶体管能有效结合氮化镓的高迁移率/开关速度与碳化硅的高导热/抗雪崩能力，实现无动态电阻退化和优异的热稳定性，成为业界研究热点。该国创中心在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延，能显著降低氮化镓外延材料的缺陷密度，大幅提升散热性能，各项指标均达到国际领先水平，有望从根本上解决其可靠性问题。
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112025.08创“芯”突破！国创中心这项技术取得重大进展！国创中心在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延。这一成果打破了大尺寸氮化镓与碳化硅材料单片集成的技术瓶颈，可批量应用于大尺寸、高质量氮化镓外延材料制备，为现有硅基氮化镓技术路线提供了一种极具竞争力的替代方案，为氮化镓/碳化硅混合晶体管的发展和产业化进程奠定基础。
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042025.08聚焦协同创新！这场供需对接会助力半导体产业生态融合7月29日，由深圳市半导体与集成电路产业联盟（以下简称“深芯盟”）联合深圳市龙岗区工业和信息化局等主办的半导体制造与设计服务供需对接会在龙岗区成功举办。
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292025.07国创中心助力深圳集成电路产业高质量发展
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292025.07共创“芯”生态！这场产业发展供需对接会促成多项合作→“深芯盟”是在深圳市委、市政府决策部署支持下，由深圳市发展和改革委员会、市国资委指导设立的开放性公益性生态联盟，由市属国企深重投集团牵头，会同20余家产业链各环节龙头单位发起设立。
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172025.07构筑“芯”生态！国创中心助力深圳集成电路产业高质量发展→日前，由深圳市科创局与市属国企深重投集团联合打造的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（以下简称“国创中心”）成功制备出国内首个氮化铝/富铝镓氮高电子迁移率晶体管功率器件。该器件能在高温高压等极端环境下实现更小体积的高效功率传输，未来将应用于智能电网、航空航天等领域。